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脑深部电刺激系统
迷走神经刺激系统
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产品介绍
脑深部电刺激系统
迷走神经刺激系统
骶神经刺激系统
脊髓神经刺激系统
迷走神经刺激系统
概述
VNS系统旨在向左侧迷走神经提供电刺激,以调控与神经系统疾病相关的异常神经元活动。通过抑制过度的神经活动并调节神经信号传递路径,该等系统主要用于治疗药物难治性癫痫,帮助为那些使用标准抗癫痫药物未能获得充分控制的患者减少发作频率。我们通过迭代改进刺激精度、传感能力、可充电性和MRI兼容性,不断改进我们的VNS系统。
系统组成
迷走神经刺激系统包括体内产品和体外产品两部分,体内产品包括:电极和脉冲发生器,体外产品包括:患者程控仪、患者程控充电器、体外程控仪、控制磁铁等。
神经交互机制
通过向左颈迷走神经传递电刺激脉冲,我们的VNS系统调节神经活动,减少与癫痫相关的脑部异常放电,从而帮助控制症状并降低癫痫发作频率。下图展示了我们VNS系统的工作机制。
体内产品
G114R可充电植入式迷走神经刺激脉冲发生器
G114R可充电植入式迷走神经刺激脉冲发生器
产品参数:重 量:17g预期使用期限:20年最小调控步进:0.05mA可充电+可感知注:电池实际使用期限与治疗参数、充/放电次数等因素有关
G113R可充电植入式迷走神经刺激脉冲发生器
G113R可充电植入式迷走神经刺激脉冲发生器
产品参数:重量:17g预期使用期限:20年最小调控步进:0.05Ma可充电注:电池实际使用期限与治疗参数、充/放电次数等因素有关
植入式迷走神经刺激电极导线套件
植入式迷走神经刺激电极导线套件
产品参数:刺激触点数量:2 刺激触点间距:8.0mm 触点螺旋内径:2.0mm
G112植入式迷走神经刺激脉冲发生器
G112植入式迷走神经刺激脉冲发生器
产品参数:重 量:14g预期使用期限:约为7.5年 (典型条件)最小调控步进:0.1mA磁共振兼容注:典型条件为幅度2mA、脉宽500us、频率20Hz、3kΩ负载、刺激时间30s、间歇时间5min。
G111植入式迷走神经刺激脉冲发生器
G111植入式迷走神经刺激脉冲发生器
产品参数:重 量:23g预期使用期限:约为12年 (典型条件)最小调控步进:0.1mA磁共振兼容注:典型条件为幅度2mA、脉宽500us、频率20Hz、3kΩ负载、刺激时间30s、间歇时间5min。
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体外产品
R811型患者程控充电器
R811型患者程控充电器
产品特点:兼容远程:支持远程程控功能,患者足不出户便可完成参数调整。可显示电池电量、方便提醒患者及时充电。充电速率分快慢两档,可自主调节。注: 请仔细阅读产品说明书或者在医务人员的指导下购买和使用,禁忌内容或者注意事项详见说明书。
M102型控制磁铁
M102型控制磁铁
产品特点:在感觉到发作前兆时,可使用控制磁铁在胸前刷过,即可产生额外的刺激,将有可能帮助:终止癫痫发作,降低发作程度,缩短发作后的恢复期。
C702 患者程控仪
C702 患者程控仪
产品特点:1.支持远程程控功能,方便医生远程调节参数。2.彩色大屏显示,触摸操作,更加便捷。3.外观小巧,便于携带,更加方便。
PSM1001 体外程控仪
PSM1001 体外程控仪
产品特点:无线操作:蓝牙通信,有效距离10米,术中降低感染风险,术后便于临床观察。近场耦合:编程器与脉冲发生器通过近场耦合通信,无惧干扰。智能助手:可保存调参历史,视频记录患者效果,方便医生管理和随访患者。
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